N-mosfet-dual gate 20v 50ma 0.33w sot103
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BF910
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- Caractéristiques
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TECHNICAL SPECIFICATIONS:
- N-Channel, Dual-Gate Tetrode MOSFET
- Maximum power dissipation (Pd): 0.33W
- Maximum drain-source voltage |Uds|: 20V
- Maximum gate-source voltage |Ugs|: 30V
- Maximum drain current |Id|: 0.05A
- Maximum junction temperature (Tj): 150 °C
- Package: TO50
5,00 € TTC